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存储器及其形成方法

基本信息

申请号 CN202010271935.9 申请日 -
公开（公告）号 CN111463205B 公开（公告）日 2022-07-19
申请公布号 CN111463205B 申请公布日 2022-07-19
分类号 H01L27/108（2006.01）I;H01L21/8242（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 冯立伟 申请（专利权）人 福建省晋华集成电路有限公司
代理机构 上海思捷知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 362200福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种存储器及其形成方法，包括衬底、多条字线结构、多条位线结构、多个节点接触结构及介质层，介质层位于所述有源区的字线结构，且至少覆盖所述字线结构靠近所述节点接触结构的至少部分侧壁，所以在位线结构和节点接触结构之间具有介质层的隔离，降低了位线结构伸入有源区的部分和节点接触结构之间短路的风险，改善了存储器的性能，即使位线沟槽发生位置偏移，位线结构和节点接触结构也可以通过介质层增加隔离的效果，增加光刻工艺的制程窗口；并且介质层是在字线沟槽中形成的且形成在字线结构之前，由于形成字线结构时需要先形成最外层介质，所以介质层和字线结构的最外层介质可在同一机台中先后形成，工艺制程简单且成本低。