半导体结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202210323738.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114759032A | 公开（公告）日 | 2022-07-15 |
| 申请公布号 | CN114759032A | 申请公布日 | 2022-07-15 |
| 分类号 | H01L27/108（2006.01）I;H01L21/8242（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 童宇诚;张钦福 | 申请（专利权）人 | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 上海思捷知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 362200福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构，包括第一底电极和第二底电极设置在衬底上。第一底电极包括第一侧壁和第二侧壁，第二底电极包括第三侧壁和第四侧壁，且第二侧壁面向第三侧壁。上部支撑层位于第一底电极和第二底电极之间并且接触第二侧壁和第三侧壁。上部支撑层与衬底之间包括空腔。电容介质层，位于所述第一底电极和所述第二底电极上。导电材料，位于所述电容介质层上并填满空腔。第一侧壁的上部包括一斜坡轮廓，且斜坡轮廓的一下端不低于上部支撑层的下表面。斜坡轮廓可改善电容介质层的均匀性并帮助导电材料填满空腔。 |
