半导体存储装置

基本信息

申请号 CN202220517452.7 申请日 -
公开(公告)号 CN216958033U 公开(公告)日 2022-07-12
申请公布号 CN216958033U 申请公布日 2022-07-12
分类号 H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 张钦福;童宇诚 申请(专利权)人 福建省晋华集成电路有限公司
代理机构 北京聿宏知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 362200福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
法律状态 -

摘要

摘要 半导体存储装置,包括阵列区以及围绕着阵列区的周围区。阵列区包括多个有源区以及位于有源区之间的第一绝缘层。周围区包括周围结构、围绕着周围结构的第二绝缘层,以及围绕着第二绝缘层的第三绝缘层。至少一埋入式字线,延伸穿过阵列区及周围区,其中埋入式字线切过第二绝缘层的部分包括颈部轮廓,为埋入式字线沿线的最高电阻值处。当半导体存储装置包括多条埋入式字线,本实用新型可使埋入式字线之间具有较一致的电阻值及信号延迟时间。