半导体结构及其制备方法、晶体管器件的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210494017.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114758985A | 公开（公告）日 | 2022-07-15 |
| 申请公布号 | CN114758985A | 申请公布日 | 2022-07-15 |
| 分类号 | H01L21/768（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 罗启仁;童宇诚 | 申请（专利权）人 | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 上海思捷知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 362200福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构及其制备方法、晶体管器件的制备方法。通过在开窗内形成拉应力材料层，以在该拉应力材料层的作用下使得金属层中的金属在衬底内的扩散趋势更大限度的被限制在开窗的正下方，降低金属横向扩散的范围，进而避免金属扩散至周边组件。例如，在晶体管器件的制备过程中，即可避免源漏区内的金属硅化物层中的金属横向扩散至栅极结构的问题，有利于提高所形成的半导体结构的器件性能。 |
