高残膜率正型光刻胶组合物及其合成方法和固化膜专利查询专利号|摘要-满商公司网

高残膜率正型光刻胶组合物及其合成方法和固化膜

基本信息

申请号	CN202110802522.3	申请日	-
公开（公告）号	CN113671795A	公开（公告）日	2021-11-19
申请公布号	CN113671795A	申请公布日	2021-11-19
分类号	G03F7/075（2006.01）I;G03F7/004（2006.01）I	分类	摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕;
发明人	陈旺;康威;康凯	申请（专利权）人	深圳迪道微电子科技有限公司
代理机构	南京苏创专利代理事务所（普通合伙）	代理人	王华
地址	518000广东省深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2007号创新广场A601
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种高残膜率正型光刻胶组合物及其合成方法和固化膜，高残膜率正型光刻胶组合物包括包括有机溶剂和溶解在溶剂中的10wt%至70wt%溶质，溶质包括含氟烷烃和硅氧烷基团的丙烯酸共聚物、硅氧烷共聚物和1,2‑二叠氮醌类化合物，其中含氟烷烃和硅氧烷基团的丙烯酸共聚物为100重量份，1,2‑二叠氮醌类化合物为2‑30重量份。本发明的高残膜率正型光刻胶组合物包含丙烯酸共聚物和硅氧烷共聚物，合成固化膜时丙烯酸共聚物和硅氧烷共聚物共同作为粘合剂，该丙烯酸共聚物同时含有硅氧烷基团和氟烷烃，提高了光刻胶组合物的残膜率，同时，由该光刻胶组合物制成的固化膜，浸没在溶剂、酸或碱中或与溶剂、酸或碱接触时，有效改善了溶胀或膜与衬底出现分层的问题。