一种介电陶瓷元件
基本信息
| 申请号 | CN202021197894.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212741167U | 公开（公告）日 | 2021-03-19 |
| 申请公布号 | CN212741167U | 申请公布日 | 2021-03-19 |
| 分类号 | C04B41/90(2006.01)I;C23C28/02(2006.01)I;H01P1/20(2006.01)I | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 黄远提;施少雄;李卫明;郭志伟;杨应喜;袁明军 | 申请（专利权）人 | 广东东硕科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京卓恒知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 徐楼;卜婷 |
| 地址 | 511440广东省广州市番禺区石楼镇创启路63号创启7号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种介电陶瓷元件。该介电陶瓷元件具有多层金属镀覆层，在所述多层金属镀覆层的协同作用下，该介电陶瓷元件的插损低，满足高频通讯信号的技术要求，并且解决了现有技术中使用在陶瓷表面沉积厚银工艺所带来的成本高的问题。同时本实用新型的介电陶瓷元件的基底与金属层的结合力强，Q值高。 |
