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一种基于CMOS的X光数字图像传感器

基本信息

申请号 CN201721303859.5 申请日 -
公开（公告）号 CN207367979U 公开（公告）日 2018-05-15
申请公布号 CN207367979U 申请公布日 2018-05-15
分类号 H01L27/146;C23C14/24;C23C14/04;C23C14/06 分类 基本电气元件;
发明人 段明浩 申请（专利权）人 西安瀚维光电科技有限公司
代理机构 西安恒泰知识产权代理事务所 代理人 李郑建
地址 710119 陕西省西安市上林苑一路15号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种基于CMOS的X光数字图像传感器，包括掺杂碘化铊的碘化铯闪烁体晶体薄膜和光学反射薄膜；掺杂碘化铊的碘化铯闪烁体晶体薄膜直接蒸镀于CMOS图像传感器芯片的感光面上，光学反射膜蒸镀于闪烁体晶体膜上。本实用新型通过在CMOS芯片的感光面上直接蒸镀微量掺杂碘化铊的碘化铯闪烁体薄膜，可以实现碘化铯闪烁体薄膜与CMOS感光面的紧密的光学耦合，提高了X光图像传感器的光电转换效率和图像光学分辨率，并且，光学耦合效率的一致性、均匀性都超过传统方式。此外，由于对图像传感器模组整体进行了纳米级防护镀膜，从而大大提高了对碘化铯闪烁体晶体薄膜的防水或防湿气保护性能；实现在恶略环境下正常工作的目标。