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可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置

基本信息

申请号 CN201510399705.X 申请日 -
公开（公告）号 CN104975351B 公开（公告）日 2018-01-02
申请公布号 CN104975351B 申请公布日 2018-01-02
分类号 C30B33/12(2006.01)I;C23F1/08(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 牟恒 申请（专利权）人 重庆德尔森传感器技术有限公司
代理机构 苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司 代理人 江苏德尔科测控技术有限公司
地址 215634 江苏省苏州市张家港保税区新兴产业育成中心A栋209室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，所述反应室的轴线位置设置有片架；所述片架由有多个在水平方向上延伸的置放板件堆叠而成，每一个置放板件均采用环形结构；所述反应室中，送气管道的端部位置设置有导流板，其包括有连接至反应室侧端面，且沿水平方向进行延伸的连接部分，其采用环形结构；所述连接部分的内侧边部设置有延伸至置放板件内侧的导流部分，连接部分与导流部分之上分别设置有多个导流孔；上述刻蚀装置使得片架不同径向位置的单晶硅与反应气体之间可进行均匀的接触，进而使得片架中的单晶硅的整体加工精度可得以现在改善。