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可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置

基本信息

申请号 CN201510399681.8 申请日 -
公开（公告）号 CN105161411A 公开（公告）日 2015-12-16
申请公布号 CN105161411A 申请公布日 2015-12-16
分类号 H01L21/306(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 牟恒 申请（专利权）人 重庆德尔森传感器技术有限公司
代理机构 南京众联专利代理有限公司 代理人 江苏德尔森传感器科技有限公司
地址 215600 江苏省苏州市张家港保税区港澳路传感器产业园
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其包括有反应室，反应室外侧设置有电磁线圈；所述反应室的外壁之上设置有多个在水平方向上成环形延伸的支撑架，其与电磁线圈一一对应，所述电磁线圈置放于支撑架之上；所述支撑架的底端面设置有沿支撑架延伸的冷却管道，其内部填充有冷凝水；采用上述技术方案的可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其可通过支撑架以对电磁线圈进行安装，从而提高其在反应室外部的结构稳定性；同时，支撑架底部的冷却管道可实时对电磁线圈的对应位置进行冷却处理，以避免反应室内部高温对电磁线圈所在位置造成影响，使得其发生偏移，进而影响反应室内部的刻蚀精度。