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传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置

基本信息

申请号 CN201510399718.7 申请日 -
公开（公告）号 CN104975350B 公开（公告）日 2017-12-01
申请公布号 CN104975350B 申请公布日 2017-12-01
分类号 C30B33/08(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 牟恒 申请（专利权）人 重庆德尔森传感器技术有限公司
代理机构 苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司 代理人 江苏德尔森传感器科技有限公司
地址 215600 江苏省张家港市保税区华达路36号科创园A栋2楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，其包括有反应室，反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构；所述反应室外侧设置有电磁线圈；所述反应室中，片架之上设置有多个在水平方向上延伸的支撑杆件，每一个支撑杆件的端部位置均设置有导向轮，其与支撑杆件通过转轴进行连接，所述导向轮的轴线平行于反应室的轴线，导向轮相交于反应室的内壁之上；采用上述技术方案的传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，其可在片架于反应室内部进行刻蚀加工的过程中，通过多个支撑杆件对片架进行定位处理，使得其始终处于反应室的轴线位置，从而使得片架之中的多个单晶硅的刻蚀加工的精度得以改善。