一种双面ITO产品的制作方法和双面ITO产品
基本信息

| 申请号 | CN201810168762.0 | 申请日 | - |
| 公开(公告)号 | CN108491103B | 公开(公告)日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN108491103B | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | G06F3/041(2006.01)I;G06F3/044(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;C23F1/02(2006.01)I;C23F1/16(2006.01)I;C23F1/26(2006.01)I | 分类 | 计算;推算;计数; |
| 发明人 | 罗志猛 | 申请(专利权)人 | 信利半导体有限公司 |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人 | 邓义华;陈卫 |
| 地址 | 516600广东省汕尾市东冲路北段工业区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要

| 摘要 | 本发明公开了一种双面ITO产品的制作方法和双面ITO产品。该制作方法包括:步骤1:提供一ITO基板:步骤2:对所述ITO基板上的第一ITO层进行刻蚀,制作第一图案,形成第一ITO功能层;步骤3:在所述第一ITO功能层上制作Mo合金层,在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层;步骤4:采用ITO刻蚀液对所述第二ITO层进行刻蚀,制作第二图案,形成第二ITO功能层;步骤5:采用Mo刻蚀液去除所述Mo合金层。该制作方法不会在ITO功能层上残留保护材料,也能够防止ITO图案被划伤等问题,还有利于工艺的自动化和高世代产线的量产。 |





