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NMOS输出功率管的低压差稳压器

基本信息

申请号	CN202010578672.6	申请日	-
公开（公告）号	CN111665893B	公开（公告）日	2022-02-01
申请公布号	CN111665893B	申请公布日	2022-02-01
分类号	G05F1/56（2006.01）I	分类	控制；调节;
发明人	罗可欣	申请（专利权）人	上海安路信息科技股份有限公司
代理机构	上海恒锐佳知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	黄海霞
地址	200434 上海市虹口区纪念路500号5幢202室
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种NMOS输出功率管的低压差稳压器，包括低压差稳压单元和电流检测单元，电流检测单元包括第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和检测放大器，所述第二NMOS管的漏极接输入电压，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第二NMOS管的源极与所述检测放大器的第一输入端和所述第四NMOS管的漏极连接，所述检测放大器的第二输入端与所述第一NMOS管的源极连接，所述检测放大器的输出端与所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的栅极连接，所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的源极均接地。所述NMOS输出功率管的低压差稳压器中，能够检测出所述低压差稳压单元的输出电流大小，从而根据输出电流的大小，改善所述低压差稳压单元的负载调整率。