纳米SiC复合Mg‑Si‑Sn基热电材料的制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

纳米SiC复合Mg‑Si‑Sn基热电材料的制备方法

基本信息

申请号	CN201610057670.6	申请日	-
公开（公告）号	CN105525122B	公开（公告）日	2017-03-29
申请公布号	CN105525122B	申请公布日	2017-03-29
分类号	C22C1/05(2006.01)I;C22C1/10(2006.01)I;C22C23/00(2006.01)I;B22F3/105(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I	分类	冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理;
发明人	张忻;郑亮;刘洪亮;李松浩;周子群;张久兴;刘燕琴	申请（专利权）人	中国冶金科技成果转化有限公司
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司	代理人	北京工业大学
地址	100080 北京市海淀区海淀大街8号A座7层706
法律状态	-

摘要

本发明涉及纳米SiC复合Mg‑Si‑Sn基热电材料的制备方法。首先，采用感应熔炼设备将Mg、Si、Sn块体原料熔炼成铸锭，然后按化学式配比称取的纳米SiC粉末与破碎的铸锭一并装入球磨罐中，采用机械球磨设备在氩气气氛下进行一次球磨，然后将装载一次球磨粉的石墨模具置于放电等离子烧结腔体中，在真空气氛下烧结成块体；再将烧结成的块体破碎后，在氩气气氛下进行二次球磨，然后在真空气氛下烧结得到高致密的Mg₂Si_1‑xSn_x/SiC_y(0≤x≤1.0,0<y≤0.05)块体。本发明成本低，适用成分范围广，操作简单，可靠性好，可实现纳米SiC颗粒在Mg₂Si_1‑xSn_x基体中的弥散分布，同时能够细化基体晶粒尺寸，提高材料的致密度和可加工性。