金刚石半导体结构的形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202110357393.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113089093A | 公开（公告）日 | 2021-07-09 |
| 申请公布号 | CN113089093A | 申请公布日 | 2021-07-09 |
| 分类号 | C30B28/14（2006.01）I;C30B29/04（2006.01）I;C23C16/27（2006.01）I;C23C16/511（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 张粉红;李熙规 | 申请（专利权）人 | 化合积电（厦门）半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 厦门加减专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李强 |
| 地址 | 361000福建省厦门市软件园三期诚毅北大街56号402-17室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种金刚石半导体结构的形成方法，包括：在提供氢气和甲烷的条件下，且在未加入催化气体的条件下，采用微波等离子体化学气相沉积法，在衬底上，进行金刚石生长初始阶段，以在衬底上生长第一多晶金刚石层；在提供氢气和甲烷的条件下，且在加入催化气体的条件下，继续采用微波等离子体化学气相沉积法，在第一多晶金刚石层上，进行金刚石生长加速阶段，以在第一多晶金刚石层上生长第二多晶金刚石层；对第二多晶金刚石层进行匹配研磨。本发明从产业化的角度提供一种工艺效率高且产品质量好的金刚石半导体结构的形成方法。 |
