用于深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的装置
基本信息
| 申请号 | CN201920256446.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209835645U | 公开（公告）日 | 2019-12-24 |
| 申请公布号 | CN209835645U | 申请公布日 | 2019-12-24 |
| 分类号 | C01B32/956（2017.01） | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 李显坪; 陈琦; 唐宝发 | 申请（专利权）人 | 扬州中天利新材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 扬州市锦江专利事务所 | 代理人 | 扬州中天利新材料股份有限公司 |
| 地址 | 225000 江苏省扬州市邗江区甘泉街道双塘村花庄组 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 用于深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的装置，涉及碳化硅半导体用高纯碳化硅（5N+）的深度提纯技术装备。在石英管内腔设置坩埚，在远离观察甁的石英管端通过管道连接HCl供料装置，在石英管外部设置加热层；在喷淋装置内设置填料隔置层，在喷淋装置外布置碱液循环泵，碱液循环泵的出液口和进液口分别与喷淋装置的上、下端相连通。本实用新型结构简单、操作方便，可实现去除碳化硅粉体中硼、铝、钛、铁、钒等杂质元素，达到碳化硅高纯至5～6N的目的。 |
