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一种CMOS集成源的太赫兹超外差正交探测阵列

基本信息

申请号 CN201610897860.9 申请日 -
公开（公告）号 CN106450803A 公开（公告）日 2017-02-22
申请公布号 CN106450803A 申请公布日 2017-02-22
分类号 H01Q23/00(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;G01J1/42(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 徐雷钧;管佳宁;白雪;仝福成 申请（专利权）人 南京砺行微电子科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 212013 江苏省镇江市京口区学府路301号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种CMOS集成源的太赫兹超外差正交探测阵列。该阵列基于CMOS固态电路超外差探测太赫兹波原理，建立全相位、全集成、高灵敏度的IQ混频全相位探测机制和方法。探索有源分布式多相正交耦合变压器理论及设计方法，构建高灵敏度单片集成探测系统，并围绕辐射环、正交耦合变压器、混频器、振荡器等关键电路模块在CMOS芯片中实现。探测器实现了片上集成源的2×2探测器阵列架构，控制源从芯片背面辐射，探测器在芯片的正面接收信号，有效提高了源与探测器的隔离，解决了源与探测器之间的相互影响问题，并且该装置能够实现0～360°全相位信息的获取，实现被测物体的内部构造3D成像。