一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法
基本信息
申请号 | CN202111516368.X | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114196063A | 公开(公告)日 | 2022-03-18 |
申请公布号 | CN114196063A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
分类号 | C08J9/28(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;C08L79/08(2006.01)I;C08K9/02(2006.01)I;C08K3/04(2006.01)I;C08G73/10(2006.01)I | 分类 | 有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物; |
发明人 | 苏敬华;方超;潘成;孙善卫 | 申请(专利权)人 | 安徽国风新材料股份有限公司 |
代理机构 | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 余婧 |
地址 | 230000安徽省合肥市高新区铭传路1000号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法,包括以下步骤:S1、将氨基化石墨烯量子点粉末、二元胺单体和二元酐单体在有机溶剂中进行聚合反应,然后加入致孔剂混合均匀,得到聚酰胺酸树脂混合溶液;S2、将所述聚酰胺酸树脂混合溶液消泡后流延至基体上,形成自支撑薄膜;S3、将所述自支撑薄膜先进行纵向拉伸,然后热亚胺化处理,在热亚胺化的同时进行横向拉伸,得到低介电聚酰亚胺薄膜。本发明可以得到介电常数低、力学性能好、玻璃化转变温度和热稳定性高的聚酰亚胺薄膜,可应用于高频通信的电子设备中。 |
