一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法

基本信息

申请号 CN202111516368.X 申请日 -
公开(公告)号 CN114196063A 公开(公告)日 2022-03-18
申请公布号 CN114196063A 申请公布日 2022-03-18
分类号 C08J9/28(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;C08L79/08(2006.01)I;C08K9/02(2006.01)I;C08K3/04(2006.01)I;C08G73/10(2006.01)I 分类 有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物;
发明人 苏敬华;方超;潘成;孙善卫 申请(专利权)人 安徽国风新材料股份有限公司
代理机构 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 代理人 余婧
地址 230000安徽省合肥市高新区铭传路1000号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法,包括以下步骤:S1、将氨基化石墨烯量子点粉末、二元胺单体和二元酐单体在有机溶剂中进行聚合反应,然后加入致孔剂混合均匀,得到聚酰胺酸树脂混合溶液;S2、将所述聚酰胺酸树脂混合溶液消泡后流延至基体上,形成自支撑薄膜;S3、将所述自支撑薄膜先进行纵向拉伸,然后热亚胺化处理,在热亚胺化的同时进行横向拉伸,得到低介电聚酰亚胺薄膜。本发明可以得到介电常数低、力学性能好、玻璃化转变温度和热稳定性高的聚酰亚胺薄膜,可应用于高频通信的电子设备中。