铜铟镓硒或铜铟铝硒太阳能电池吸收层靶材及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN200810225482.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101397647B | 公开（公告）日 | 2011-08-17 |
| 申请公布号 | CN101397647B | 申请公布日 | 2011-08-17 |
| 分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;B22F3/12(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 庄大明;张弓;张宁;元金石;李春雷;宋军 | 申请（专利权）人 | 张家港保税区华冠光电技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 史双元 |
| 地址 | 100084 北京市100084-82信箱 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了属于光电功能材料领域的一种铜铟镓硒或铜铟铝硒太阳能电池吸收层靶材及其制备方法。是按照CuIn1-xGaxSe2或CuIn1-xAlxSe2太阳能电池吸收层的化学计量比将高纯度硒化亚铜粉末、硒化铟粉末、硒化镓粉末或硒化铝粉末充分混合均匀后，在保护气氛中热压烧结成型，或者经过冷压成型或冷等静压成型制成素坯，然后将素坯在保护气氛中施加一定的压力烧结或者不加压烧结。本发明工艺简便、效率高、成本低，所制成的溅射靶材成分均匀，具有均一的CuIn1-xGaxSe2或CuIn1-xAlxSe2相，相对密度达到90％以上，性能稳定。本发明主要用于铜铟镓硒和铜铟铝硒太阳能薄膜电池吸收层的制备。 |
