一种制备铜铟硒溅射靶材的工艺
基本信息
| 申请号 | CN200810116717.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101333645A | 公开（公告）日 | 2008-12-31 |
| 申请公布号 | CN101333645A | 申请公布日 | 2008-12-31 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01);C23C14/06(2006.01);B22F3/16(2006.01) | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 张弓;庄大明;元金石;李春雷;张宁;宋军 | 申请（专利权）人 | 张家港保税区华冠光电技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张文宝 |
| 地址 | 100084北京市100084－82信箱 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于光电材料新能源技术领域，特别涉及一种制备铜铟硒溅射靶材的工艺。通过制备或市场购买Cu2Se粉末和In2Se3粉末，混合后在行星式球磨机中球磨，而后冷压成型，制得Cu2Se和In2Se3混合材料素坯，将此素坯置于密闭的真空烧结炉中，在H2保护气氛中，烧结，冷却后脱模，即得到铜铟硒靶材。所制得的靶材具有均一的铜铟硒相，相对密度达到95％以上。本发明具有工艺简便，效率高，成本低，稳定性好等优点，为制备铜铟硒吸收层薄膜的制备工艺提供了便捷和稳定的保证。 |
