一种易剥离、界面纯净的极薄附载体铜箔的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011620610.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112853408A | 公开（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申请公布号 | CN112853408A | 申请公布日 | 2021-05-28 |
| 分类号 | C25D1/22(2006.01)I;C25D7/06(2006.01)I;C25D1/04(2006.01)I;C25D5/48(2006.01)I | 分类 | 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕; |
| 发明人 | 唐云志;刘耀;陆冰沪;樊小伟;李大双;郑小伟;谭育慧 | 申请（专利权）人 | 赣州稀金新材料研究院有限公司 |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘依云;刘亭亭 |
| 地址 | 341000江西省赣州市章贡区红旗大道86号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及电子材料技术领域，具体涉及一种易剥离、界面纯净的极薄附载体铜箔的制备方法。本发明提供的载体铜箔包括含有合金层和有机层的复合剥离层，尤其是所述合金层由含有络合剂和至少一种可溶性硫酸盐的合金液通过电镀处理得到，所述有机层由含有有机物的有机液通过涂覆处理得到，从而在铜箔的上表面形成表面均匀、性能稳定的复合剥离层，经高温压合后具有剥离性能稳定、易剥离的特性；同时，采用本发明特定的方法制得的极薄附载体铜箔具有易剥离、晶粒细腻、组织致密、厚度均匀、界面纯净的特点，例如，极薄铜箔的厚度为2‑6μm，表面粗糙度≤2.5μm，极薄铜箔与载体铜箔的剥离强度远低于极薄铜箔与绝缘板的剥离强度。 |
