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半导体激光装置及其制造方法

基本信息

申请号	CN200610106015.1	申请日	-
公开（公告）号	CN1901302A	公开（公告）日	2007-01-24
申请公布号	CN1901302A	申请公布日	2007-01-24
分类号	H01S5/40(2006.01);H01S5/026(2006.01);H01S5/323(2006.01);H01S5/343(2006.01);H01S5/16(2006.01)	分类	基本电气元件;
发明人	福久敏哉;万浓正也;古川秀利	申请（专利权）人	松下汽车电子系统（苏州）有限公司
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汪惠民
地址	日本大阪府
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种半导体激光装置及其制造方法，特别是，在二波长激光装置等的单片集成激光装置中，根据1次的杂质扩散工序，在活性层的发射边缘面附近区域分别形成良好的窗口区。其包括：发出第1波长激光的第1元件和发出第2波长激光的第2元件，该第1元件由第一导电型的第1覆层101、位于发射边缘面附近具有第1窗口区的第1活性层102、和第二导电型的第1覆层103在衬底上从下依次层积形成，该第2元件由第一导电型的第2覆层104、位于发射边缘面附近具有第2窗口区的第2活性层105、和第二导电型的第2覆层106在衬底上从下依次层积形成；第二导电型的第1覆层103的晶格常数及第二导电型的第2覆层106的晶格常数是被调整的常数，以使得在第1活性层102的第1窗口区中所含的杂质的扩散速度、和在第2活性层105的第2窗口区中所含的杂质的扩散速度的差异获得补偿。