二波长半导体激光装置
基本信息
| 申请号 | CN200610106015.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN100563069C | 公开（公告）日 | 2009-11-25 |
| 申请公布号 | CN100563069C | 申请公布日 | 2009-11-25 |
| 分类号 | H01S5/40(2006.01)I;H01S5/026(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I;H01S5/16(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 福久敏哉;万浓正也;古川秀利 | 申请（专利权）人 | 松下汽车电子系统（苏州）有限公司 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 地址 | 日本大阪府 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体激光装置及其制造方法，特别是，在二波长激光装置等的单片集成激光装置中，根据1次的杂质扩散工序，在活性层的发射边缘面附近区域分别形成良好的窗口区。其包括：发出第1波长激光的第1元件和发出第2波长激光的第2元件，该第1元件由第一导电型的第1覆层(101)、位于发射边缘面附近具有第1窗口区的第1活性层(102)、和第二导电型的第1覆层(103)在衬底上从下依次层积形成，该第2元件由第一导电型的第2覆层(104)、位于发射边缘面附近具有第2窗口区的第2活性层(105)、和第二导电型的第2覆层(106)在衬底上从下依次层积形成；第二导电型的第1覆层(103)的晶格常数及第二导电型的第2覆层(106)的晶格常数是被调整的常数，以使得在第1活性层(102)的第1窗口区中所含的杂质的扩散速度、和在第2活性层(105)的第2窗口区中所含的杂质的扩散速度的差异获得补偿。 |
