半导体封装材料或基板材料的制备方法，由此得到的半导体封装材料或基板材料及其应用
基本信息
| 申请号 | CN202111021555.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113736142A | 公开（公告）日 | 2021-12-03 |
| 申请公布号 | CN113736142A | 申请公布日 | 2021-12-03 |
| 分类号 | C08K7/18（2006.01）I;C08K3/36（2006.01）I;C08K9/06（2006.01）I;C08L101/00（2006.01）I;H01L23/29（2006.01）I | 分类 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物; |
| 发明人 | 王珂;方袁峰;沈海斌;陈树真 | 申请（专利权）人 | 浙江三时纪新材科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 宋丽荣 |
| 地址 | 313000浙江省湖州市敢山路1919号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体封装材料或基板材料的制备方法，其包括提供球形或不定形聚硅氧烷，在氧化性气体氛围下，在聚硅氧烷粒子中的有机成分实质上被全部氧化完之前将温度升至介于600度‑800度之间进行热处理使得粉体表面形成致密的氧化硅层，同时使得热处理粉体内部的有机成分热分解成碳元素；进行煅烧得到黑色球形或不定形氧化硅填料，煅烧温度大于800度且低于1100度，以缩合剩余的硅羟基；将黑色球形或不定形氧化硅填料紧密填充级配在树脂中形成半导体封装材料或基板材料。用这种黑色球形或不定形氧化硅可以直接制成灰色或黑色半导体封装材料或基板材料，从而从根本上解决引入乙炔黑染色带来的导电问题和二氧化硅难激光加工问题。 |
