一种聚硅氧烷粉体填料的制备方法、由此得到的聚硅氧烷粉体填料及其应用

基本信息

申请号 CN201980016661.4 申请日 -
公开(公告)号 CN111819248B 公开(公告)日 2021-08-20
申请公布号 CN111819248B 申请公布日 2021-08-20
分类号 C08L83/04;C08L83/06;C08L83/08;H01L33/56 分类 有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物;
发明人 陈树真;李锐 申请(专利权)人 浙江三时纪新材科技有限公司
代理机构 上海智信专利代理有限公司 代理人 邓琪
地址 313000 浙江省湖州市敢山路1919号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种聚硅氧烷粉体填料的制备方法,提供包括至少60wt%的T单位的聚硅氧烷,其中,T单位=R1SiO3‑,R1为氢原子或可独立选择的碳原子1至18的有机基;以及在惰性气体氛围或真空条件下,对该聚硅氧烷进行热处理,热处理温度为250度以上至750度以下,以使得聚硅氧烷中的硅羟基发生缩合以得到真密度大于等于1.33g/cm3,更佳的大于等于1.34g/cm3的聚硅氧烷粉体填料。本发明还提供一种根据上述的制备方法得到的聚硅氧烷粉体填料。本发明又提供一种根据上述的聚硅氧烷粉体填料的应用。本发明提供的聚硅氧烷粉体填料具有低诱电率、低诱电损失和低放射性。