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一种湿法硅片清洗方法

基本信息

申请号	CN201610464167.2	申请日	-
公开（公告）号	CN105914137B	公开（公告）日	2019-07-26
申请公布号	CN105914137B	申请公布日	2019-07-26
分类号	H01L21/02（2006.01）I; B08B3/04（2006.01）I; B08B3/08（2006.01）I; B08B3/10（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	吕耀安	申请（专利权）人	安徽立查信息科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	102600 北京市大兴区乐园路4号院2号楼3层1单元317
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种湿法硅片清洗方法，包括以下步骤：步骤1、使用硫酸、过氧化氢和去离子水的混合溶液清洗硅片上的有机物和金属；步骤2、使用去离子水对硅片进行冲洗；步骤3、在50℃～60℃的温度下，使用氢氟酸和水的混合物溶解硅片上的氧化层；步骤4、使用去离子水对硅片进行清洗；步骤5、在55℃～70℃的温度下，在使用SC‑1溶液对硅片进行清洗；步骤6、使用去离子水对硅片进行清洗；步骤7、在55℃～70℃的温度下，使用SC‑2溶液对硅片进行清洗；步骤8、使用HF溶液对硅片进行浸泡。本发明在清洗中使用了合适的温度范围，与现有的常温的湿法清洗技术相比，反应速率加快，则在相同的清洗程度之下，本发明所使用的氢氟酸等有害化学物质减少。