一种晶界修饰的多晶正极材料及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010566487.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111933925A | 公开（公告）日 | 2020-11-13 |
| 申请公布号 | CN111933925A | 申请公布日 | 2020-11-13 |
| 分类号 | H01M4/505(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张继泉;武斌;李淼;李钊华;申兰耀;蒋宁;姜晓瑞;梁艳君;周恒辉;杨新河 | 申请（专利权）人 | 泰丰先行（泰安）科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李文涛 |
| 地址 | 271000山东省泰安市青春创业开发区创业路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于锂离子电池电极材料领域，提出一种晶界修饰的多晶正极材料，结构式为LizMAO2。本发明还提出一种晶界修饰的多晶正极材料的制备方法，包括以下步骤：将锂源、过渡金属M化合物、掺杂元素化合物进行混合，然后进行烧结，烧结完成后进行破碎处理，得到具有晶界修饰的多晶结构正极材料一次品；将正极材料一次品与包覆元素化合物混合均匀后烧结，烧结完成后进行破碎处理，得到晶界修饰的多晶正极材料。通过发挥阴离子在修饰晶界方面的优势，改善多晶结构中界面间层错、破裂等不稳定现象，可以显著提高锂离子电池正极材料的电化学结构稳定性，有利于解决高电压材料开发面临的循环、存储、浮充等问题。 |
