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一种溶液法制备三碘化铯锡薄膜的方法

基本信息

申请号	CN201210382413.1	申请日	-
公开（公告）号	CN103708534B	公开（公告）日	2015-11-18
申请公布号	CN103708534B	申请公布日	2015-11-18
分类号	C01G19/00(2006.01)I;C03C17/22(2006.01)I;C04B41/85(2006.01)I	分类	无机化学;
发明人	沈凯;陈琢;任宇航	申请（专利权）人	浙江尚颉投资管理有限公司
代理机构	北京市盛峰律师事务所	代理人	赵建刚
地址	311121 浙江省杭州市余杭区五常街道丰岭路25号
法律状态	-

摘要

本发明提供一种溶液法制备三碘化铯锡薄膜的方法，包括以下步骤：S11，制备CsI溶液，所述CsI溶液的浓度为5wt％至50wt％；S12，制备SnCl₂溶液，所述SnCl₂溶液的浓度为10wt％至80wt％；S13，将所述CsI溶液和所述SnCl₂溶液混合，制备三碘化铯锡溶液；S14，将所述三碘化铯锡溶液滴涂到所述基底上；S15，加热所述基底至干燥，在所述基底上形成三碘化铯锡薄膜。本发明滴涂法制备三碘化铯锡(CsSnI₃)薄膜的方法，在玻璃、陶瓷和金属箔等大面积基底上合成薄膜，不需要基于真空手段就能合成CsSnI₃薄膜的方法，可显著降低成本，使这种薄膜作为新的太阳能电池吸收材料将得到广泛的应用。