声学谐振器的制备方法和声学谐振器
基本信息
申请号 | CN202110275987.8 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114285389A | 公开(公告)日 | 2022-04-05 |
申请公布号 | CN114285389A | 申请公布日 | 2022-04-05 |
分类号 | H03H9/17(2006.01)I;H03H9/02(2006.01)I;H03H3/02(2006.01)I | 分类 | 基本电子电路; |
发明人 | 龚颂斌;吕若辰 | 申请(专利权)人 | 偲百创(深圳)科技有限公司 |
代理机构 | 华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 虞凌霄 |
地址 | 518048广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园4栋15层1501-1503 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及一种声学谐振器的制备方法和声学谐振器,所述声学谐振器的制备方法,提供包括铌酸锂和钽酸锂中的一种的压电衬底,并且于底电极层上沉积第一声反射层,通过选择压电衬底的特定方向,采用上述声学谐振器的制备方法制备的声学谐振器可以被激励为厚度方向剪切振动模式,由于该声学谐振器采用更为优越的厚度方向剪切振动模式并选用可以支持该振动模式的铌酸锂或坦酸锂材料,因此,该声学谐振器可以在3GHz以上的频率下支持高机电耦合。 |
