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晶片表面平整度测量装置

基本信息

申请号 CN201310283162.6 申请日 -
公开（公告）号 CN104280010A 公开（公告）日 2015-01-14
申请公布号 CN104280010A 申请公布日 2015-01-14
分类号 G01B21/30(2006.01)I 分类 测量；测试;
发明人 沙恩水 申请（专利权）人 天津浩洋环宇科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 300384 天津市华苑高新区海泰信息广场C座602室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种能够快速并准确测量晶片表面平整度，并且不会对晶片产生划伤、压碎、磕边、污染等不良现象的晶片表面平整度测量装置，包括由多个水平并且平行并列设置的触针所组成的触针列阵，以及用于支撑触针的触针支撑座，该触针支撑座内设置有多个水平并且平行并列设置的通孔，多个触针对应穿过所述通孔并且能够在所述通孔内沿轴向左右移动；所述触针的一端为测试端，用于与晶片表面接触，其另一端设置有位移传感器。采用本发明的晶片表面平整度测量装置，使用时将晶片竖起后水平移向触针的测试端，触针另一端的位移传感器将记录触针的移动数据，供测量者参考；如果晶片表面不平整，每个位移传感器所感应到的触针移动距离也不相同。