单晶硅衬底多结太阳电池
基本信息
| 申请号 | CN200910009001.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101483202A | 公开（公告）日 | 2009-07-15 |
| 申请公布号 | CN101483202A | 申请公布日 | 2009-07-15 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I;H01L31/052(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 索拉安吉 | 申请（专利权）人 | 北京索拉安吉清洁能源科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100032北京市西城区金融大街19号富凯大厦B座708B | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种基于单晶硅衬底的多结太阳电池，用于太阳能发电，特别适用于高效聚光太阳能发电系统。其特征在于，采用硅单晶片为衬底，利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)方法生长多结太阳电池材料。首先在硅单晶片上生长锗硅合金过渡层，再依次外延生长锗电池结构、铟镓砷电池结构和铟镓磷电池结构。该发明以硅单晶片替代锗单晶片和砷化镓单晶片，可以大大降低多结太阳电池的成本，提高硅基太阳电池的转换效率，加快太阳能发电的应用和发展。 |
