具有掺杂阻挡层的多结太阳电池
基本信息
| 申请号 | CN200810180078.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101431117A | 公开（公告）日 | 2009-05-13 |
| 申请公布号 | CN101431117A | 申请公布日 | 2009-05-13 |
| 分类号 | H01L31/052(2006.01)I;H01L31/068(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 索拉安吉 | 申请（专利权）人 | 北京索拉安吉清洁能源科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100032北京市西城区金融大街19号富凯大厦B座7-08B | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种具有掺杂阻挡层的多结太阳电池，用于高效聚光太阳能发电系统。其特征在于，采用半导体单晶片为衬底，采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)方法生长多结太阳电池材料，在连接两结电池的隧道结两侧分别生长相同导电性的掺杂阻挡层，可以有效阻挡隧道结高浓度掺杂的杂质向外扩散，提高太阳电池的转换效率，延长太阳电池的使用寿命。 |
