一种具有高磁矩的镝薄膜材料制备工艺及聚磁元件

基本信息

申请号 CN202110393398.X 申请日 -
公开(公告)号 CN113205953A 公开(公告)日 2021-08-03
申请公布号 CN113205953A 申请公布日 2021-08-03
分类号 H01F41/02;H01F1/01;C22B59/00;C22F1/18 分类 基本电气元件;
发明人 侯进;侯雪玲 申请(专利权)人 宝鸡市蕴杰金属制品有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 721013 陕西省宝鸡市渭滨区高新开发区十路东支18号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种具有高磁矩的镝薄膜材料制备工艺及聚磁元件,所述镝薄膜材料制备工艺,包括:磁悬浮熔炼、浇铸与热轧、热处理与冷轧、冷轧与热处理、检验的步骤。聚磁元件则为一种永磁波荡器用的聚磁元件,其包括所述镝薄膜材料制备工艺所制作的镝薄膜材料(2)、导磁介质(3),所述导磁介质(3)与所述镝薄膜材料(2)彼此间隔地设置。本发明所制备的高性能镝薄膜材料具有较高的磁性能,磁矩值高(100‑151emu/g);还具有良好的磁均匀性,制作的聚磁元件聚磁性能优良;此外,镝薄膜材料成品率显著提高到97%左右,实现批量化生产,提高了生产效率,制备成本降低了大约30%。