一种方形硅芯的制备方法

基本信息

申请号 CN202110611711.2 申请日 -
公开(公告)号 CN113355737A 公开(公告)日 2021-09-07
申请公布号 CN113355737A 申请公布日 2021-09-07
分类号 C30B15/00;C30B15/20;C30B29/06 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 李帅;吴海啸;刘小明;武建华;邢瑞栋;边雨 申请(专利权)人 内蒙古和光新能源有限公司
代理机构 北京精金石知识产权代理有限公司 代理人 宋秀兰
地址 010000 内蒙古自治区呼和浩特市经济技术开发区沙尔沁工业区开放大街审图中心主楼3007-2
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及硅芯的工艺技术领域,具体涉及一种方形硅芯的制备方法。所述制备方法包括如下步骤:(1)投料;(2)熔化多晶硅原料;(3)引晶;(4)放肩;(5)转肩;(6)等径生长;(7)收尾;(8)停炉,开炉,切割,酸洗得方硅芯;其中,放肩步骤通过调节单晶炉通电功率和软轴轴上提速度,将细晶直径放肩到200㎜以上;等径生长通过调节电功率,软轴与坩埚的上升速度,拉晶电阻率分布更均匀的晶体棒。本发明通过对关键工艺参数的控制,缩短了拉晶时间,减少了坩埚与熔融硅液接触的时间,有效减少硅晶液中杂质的含量,有利于控制硅芯的电阻率。