一种ZnS基底长波红外增透保护膜及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种ZnS基底长波红外增透保护膜及其制备方法

基本信息

申请号	CN202011460832.3	申请日	-
公开（公告）号	CN112698430A	公开（公告）日	2021-04-23
申请公布号	CN112698430A	申请公布日	2021-04-23
分类号	G02B1/115;G02B1/14	分类	光学;
发明人	张旭;钱纁;肖红涛;党参;滕祥红;张克宏;石岩	申请（专利权）人	北京中材人工晶体研究院有限公司
代理机构	北京柏杉松知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘继富;王春伟
地址	100018 北京市朝阳区红松园1号
法律状态	-

摘要

本申请提供了一种ZnS基底长波红外增透保护膜及其制备方法，其中ZnS基底长波红外增透保护膜包括依次设置在所述ZnS基底上的ZnS膜层和Y₂O₃膜层；ZnS基底厚度：2‑15mm，各膜层的厚度为：ZnS膜层：80‑120nm，Y₂O₃膜层：1000‑1300nm，Y₂O₃膜层从内部到表面膜层结构逐渐变化。制备ZnS基底长波红外增透保护膜的方法，包括以下步骤：1)对ZnS基底进行抛光处理和表面处理；2)在所述ZnS基底上沉积ZnS膜层；3)在所述ZnS膜层上沉积Y₂O₃膜层，沉积开始时初始氧氩比为(2.8‑3.4)：35，在沉积过程中逐渐减小氧氩比，沉积结束时氧氩比为(0.6‑1.0)：35。通过所述方法制备而成的ZnS基底长波红外增透保护膜结构稳定性好，且在波长7.0‑9.5μm的波段内平均透过率高。