一种芯片端口的抗雷击检测方法
基本信息
| 申请号 | CN201911414685.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111103527B | 公开（公告）日 | 2022-05-10 |
| 申请公布号 | CN111103527B | 申请公布日 | 2022-05-10 |
| 分类号 | G01R31/28（2006.01）I;G01R31/12（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 郎静;刘若曦;晁苗苗;李潇;朱晓东;门萌萌 | 申请（专利权）人 | 西安翔腾微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 710065陕西省西安市西安市高新一路25号创新大厦S303室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种芯片端口的抗雷击检测方法，包括：分别获取待测芯片端口相对于电源端、接地端及剩余芯片端口的电流电压曲线；对待测芯片端口进行雷电间接效应试验；在雷电间接效应试验后，再次获取待测芯片端口相对于电源端、接地端及剩余芯片端口的电流电压曲线；对待测芯片的性能和功能进行测试，获得雷电间接效应试验后待测芯片的性能参数和功能参数；对雷电间接效应试验前后的电流电压曲线进行对比，获得曲线对比结果；根据性能参数、功能参数和曲线对比结果判断待测芯片端口是否合格。本发明的芯片端口的抗雷击检测方法能够在芯片经受雷电间接效应试验后且芯片功能和性能测试合格的情况下，检测芯片端口的隐性损伤。 |
