抗紫外老化对位芳纶的制备方法及制得的对位芳纶
基本信息
| 申请号 | CN201410200229.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105085902B | 公开（公告）日 | 2017-11-07 |
| 申请公布号 | CN105085902B | 申请公布日 | 2017-11-07 |
| 分类号 | C08G69/32(2006.01)I;C08G69/28(2006.01)I;C08K3/36(2006.01)I;D01F6/90(2006.01)I;D01F1/10(2006.01)I | 分类 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物; |
| 发明人 | 邓飞;王芳;王亭;王伟 | 申请（专利权）人 | 中石化石油工程技术服务股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 中国石化仪征化纤有限责任公司;中国石油化工股份有限公司 |
| 地址 | 211900 江苏省仪征市长江西路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明揭示了一种抗紫外老化对位芳纶的制备方法，通过在对苯二胺和/或对苯二甲酰氯中加入纳米SiO2，经螺杆挤出机一步法即可制得对位芳纶，螺杆挤出机的螺筒温度为70～80℃，转速为20～40rpm，其纳米SiO2的粒径在15～200nm之间，占对位芳纶质量的1～5﹪。本发明方法步骤简单，操作可靠，有利于降低生产成本和提高生产效率；通过本发明方法制得的对位芳纶，由于抗紫外线添加剂缔合于高分子材料间，使对位芳纶不仅抗紫外性能强，而且性能持久；由于本发明方法可先将纳米SiO2均匀分散至反应体系中再参与缩聚聚合反应，使最终制得的对位芳纶中二氧化硅能够完全均匀分散，从而可以保证了对位芳纶原有的优异性能。 |
