InP量子点及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610834922.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106479482A | 公开（公告）日 | 2017-03-08 |
| 申请公布号 | CN106479482A | 申请公布日 | 2017-03-08 |
| 分类号 | C09K11/02(2006.01)I;C09K11/70(2006.01)I;C09K11/88(2006.01)I;B82Y20/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 分类 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用; |
| 发明人 | 乔培胜;汪均;涂丽眉;李光旭;高静 | 申请（专利权）人 | 浙江纳晶科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 纳晶科技股份有限公司 |
| 地址 | 310052 浙江省杭州市滨江区秋溢路500号1幢4楼405-407室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了InP量子点及其制备方法。该制备方法包括：步骤S1，利用第一InP核和InP纳米团簇制备第二InP核；步骤S2，以第二InP核为核，使Zn前驱体、Se前驱体和可选的S前驱体通过外延生长法在第二InP核的表面形成包含ZnSexS1‑x或者ZnSe/ZnS的壳层，得到InP/ZnSexS1‑x量子点或者InP/ZnSe/ZnS量子点，0<x≤1。利用第一InP核和InP纳米团簇制备第二InP核使所得的第二InP核的颗粒尺寸更均一，半半峰宽变窄；所得到的InP量子点量子点壳层中同时含有Se元素和硫元素，使得壳层的包覆厚度及InP量子点的发光效率和稳定性得到进一步改善。 |
