量子点核、核壳型量子点、其制备方法、量子点发光器件及量子点组合物
基本信息
| 申请号 | CN201911151340.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112824479A | 公开（公告）日 | 2021-05-21 |
| 申请公布号 | CN112824479A | 申请公布日 | 2021-05-21 |
| 分类号 | C09K11/02;C09K11/70;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L51/50 | 分类 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用; |
| 发明人 | 陈小朋;苏叶华 | 申请（专利权）人 | 浙江纳晶科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 张美月 |
| 地址 | 324004 浙江省衢州市柯城区高新片区海棠路12号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种量子点核、核壳型量子点、其制备方法、量子点发光器件及量子点组合物。该制备方法包括：提供铟前体、磷前体和溶剂，加热反应得到含InP量子点核的溶液；将含InP量子点核的溶液、含Zn源的溶液、第一阴离子前体和长链羧酸进行反应，形成含表面改性的InP量子点核的溶液，第一阴离子前体中的第一阴离子包括Se，Zn源选自C原子数≤6的羧酸锌，长链羧酸的主链骨架碳原子数为10～22。通过上述方法能够在消除InP量子点核表面悬键的同时，在InP量子点核表面形成薄壳层包覆，从而可制得一类高稳定性、高量子产率的InP量子点。 |
