InP量子点及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610997228.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106701059A | 公开（公告）日 | 2017-05-24 |
| 申请公布号 | CN106701059A | 申请公布日 | 2017-05-24 |
| 分类号 | C09K11/02(2006.01)I;C09K11/70(2006.01)I;B82Y20/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 分类 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用; |
| 发明人 | 高静;汪均;陈昌磊;涂丽眉;赵飞;苏叶华 | 申请（专利权）人 | 浙江纳晶科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 纳晶科技股份有限公司 |
| 地址 | 310052 浙江省杭州市滨江区秋溢路500号1幢4楼405-407室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了InP量子点及其制备方法。该InP量子点包括：金属盐修饰的InP核，以及包裹在核上的壳层，壳层为ZnSe/ZnS或ZnSexS1‑x，其中0＜x≤1，InP量子点的半峰宽小于等于50nm，量子效率大于等于70％。由于金属盐的修饰作用使得InP表面的悬挂键消除，能够减少能量以非光学性质的损耗，提高了具有该金属盐修饰的InP的量子点的荧光量子产率；另外，由于InP和ZnSe的晶格常数差距较小，因此使具有S和Se的壳层可以较为容易地包覆在InP核表面，进而使得本申请的InP量子点具有较高的量子效率和稳定性；同时，由于InP量子点的半峰宽小于等于50nm，可以得出量子点粒径较为均一。 |
