ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ZnSe/ZnS量子点及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610834857.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106479481B | 公开（公告）日 | 2019-04-30 |
| 申请公布号 | CN106479481B | 申请公布日 | 2019-04-30 |
| 分类号 | C09K11/02（2006.01）I; C09K11/88（2006.01）I; B82Y20/00（2011.01）I; B82Y30/00（2011.01）I; B82Y40/00（2011.01）I | 分类 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用; |
| 发明人 | 谢松均; 汪均; 涂丽眉; 高静 | 申请（专利权）人 | 浙江纳晶科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 纳晶科技股份有限公司 |
| 地址 | 310052 浙江省杭州市滨江区秋溢路500号1幢4楼405-407室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种ZnSe/III‑V族/ZnSexS1‑x或ZnSe/III‑V族/ZnSe/ZnS量子点及其制备方法。该制备方法包括：S1，制备含ZnSe核和非配位溶剂的第一混合液；S2，向第一混合液中加入III族元素前体溶液形成第二混合液，升温至180～320℃，加入V族元素前体溶液进行反应；S3，包覆ZnSexS1‑x或ZnSe/ZnS壳层，得到ZnSe/III‑V族/ZnSexS1‑x或ZnSe/III‑V族/ZnSe/ZnS量子点。先在低温加III族元素前体溶液，然后高温加V族元素前体溶液，避免III‑V的自成核，实现III‑V族元素壳层在ZnSe核上完美的包覆。 |
