半导体封装结构及其形成方法、导电治具及电镀设备
基本信息
| 申请号 | CN202210266272.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114649305A | 公开（公告）日 | 2022-06-21 |
| 申请公布号 | CN114649305A | 申请公布日 | 2022-06-21 |
| 分类号 | H01L23/544（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 缪富军;杨志;雷大勇;刘烨 | 申请（专利权）人 | 长电科技管理有限公司 |
| 代理机构 | 杭州五洲普华专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 200120上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区集创路200号1幢111室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体封装结构及其形成方法、导电治具及电镀设备，所述形成方法，包括：基板，所述基板的正面包括若干分立的封装区域和位于所述若干分立的封装区域之间且环绕每一个所述封装区域的切割道区域；位于每一个所述封装区域内的若干分立的金属线路；位于每一个所述封装区域周围的所述切割道区域内的若干分立的测试焊垫，每一个所述测试焊垫与所述每一个所述封装区域内的相应的所述金属线路电连接，所述若干分立的测试焊垫用于在所述若干分立的金属线路的表面电镀保护金属层时，与导电治具电连接，通过所述导电治具将所述若干分立的金属线路电连接在一起。本发明的方法实现无电镀导线对金属线路进行电镀。 |
