一种半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010371271.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111508851B | 公开（公告）日 | 2021-11-23 |
| 申请公布号 | CN111508851B | 申请公布日 | 2021-11-23 |
| 分类号 | H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L23/29（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/552（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 侯新飞 | 申请（专利权）人 | 芯瑞微（上海）电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京高航知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王卓 |
| 地址 | 201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出的一种半导体结构及其形成方法，包括以下步骤：在基板上设置多个半导体芯片，通过研磨或切割工艺使得每个所述半导体芯片的四个侧面均为倾斜侧面；在所述基板上依次形成电介层、第一银纳米线/银纳米颗粒复合层、第一封装层、第二纳米线/银纳米颗粒复合层、第二封装层、第三纳米线/银纳米颗粒复合层、第三封装层、第四纳米线/银纳米颗粒复合层以及第四封装层，接着进行热压合处理。 |
