砷磷化铝镓铟发光二极管
基本信息
| 申请号 | CN201621414656.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN206271744U | 公开（公告）日 | 2017-06-20 |
| 申请公布号 | CN206271744U | 申请公布日 | 2017-06-20 |
| 分类号 | H01L33/10(2010.01)I;H01L33/26(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 丁国建;刘佩;陈宇;张业民;罗惠英 | 申请（专利权）人 | 天津中环新光科技有限公司 |
| 代理机构 | 天津三元专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 天津中环新光科技有限公司 |
| 地址 | 300385 天津市西青区津港公路微电子工业区毕升道2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种砷磷化铝镓铟发光二极管，设有：砷化镓(GaAs)衬底，砷化镓(GaAs)衬底上设有超晶格分布布拉格反射层(DBR)，分布布拉格反射层(DBR)上设有n型限制层，n型限制层上设有构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源层,多量子阱有源层上设有p型限制层，p型限制层上设有p型磷化镓(GaP)窗口层，其中，分布布拉格反射层(DBR)是由砷化铝(AlAs)和多层砷化镓、砷化铝(GaAs/AlAs)m超晶格结构组成的[AlAs/(GaAs/AlAs)m]n周期性结构。通过上述层结构的相互连接构成一发光二极管结构。本实用新型不仅大幅降低分布布拉格反射层的串电阻，改善了反射光谱的特性；而且，还改善了发光二极管的工作电压，增加了光提取效率，提高了发光二极管的亮度和稳定性。 |
