具有外延表面粗化层的砷磷化铝镓铟发光二极管专利查询专利号|摘要-满商公司网

具有外延表面粗化层的砷磷化铝镓铟发光二极管

基本信息

申请号	CN201320813652.8	申请日	-
公开（公告）号	CN203721755U	公开（公告）日	2014-07-16
申请公布号	CN203721755U	申请公布日	2014-07-16
分类号	H01L33/22(2010.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	丁国建;宋京;张荣勤;罗惠英;王晓晖	申请（专利权）人	天津中环新光科技有限公司
代理机构	天津三元专利商标代理有限责任公司	代理人	天津中环新光科技有限公司
地址	300385 天津市西青区津港公路微电子工业区毕升道2号
法律状态	-

摘要

一种具有外延表面粗化层的砷磷化铝镓铟发光二极管，设有：砷化镓（GaAs）衬底，砷化镓（GaAs）衬底上设有布拉格反射层，布拉格反射层上设有n型限制层，n型限制层上设有构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区,多量子阱有源区上设有p型限制层；p型限制层上设有p型磷化镓（GaP）窗口层，其中，p型磷化镓（GaP）窗口层上设有砷磷化铝镓（Al_xGa_1-x?As_yP_1-y）表面粗化层；通过上述层结构的相互连接构成一发光二极管结构。本实用新型通过在外延阶段，直接在磷化镓（GaP）窗口层上继续外延生长一薄层砷磷化铝镓（Al_xGa_1-x?As_yP_1-y）；使生长出来的砷磷化铝镓（Al_xGa_1-x?As_yP_1-y）薄层表面粗化；解决了在对外延片表面粗糙化的过程中，所造成的损伤问题；增加了光提取效率，提高了发光二极管的稳定性和产品的良品率。