高亮度发光二极管及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201210452575.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103811607A | 公开（公告）日 | 2014-05-21 |
| 申请公布号 | CN103811607A | 申请公布日 | 2014-05-21 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/30(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 丁国建;陈弘;贾海强;王晓晖;宋京;张荣勤;罗惠英 | 申请（专利权）人 | 天津中环新光科技有限公司 |
| 代理机构 | 天津三元专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 天津中环新光科技有限公司;中国科学院物理研究所 |
| 地址 | 300385 天津市西青区津港公路微电子工业区毕升道2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种高亮度发光二极管及制备方法，设有砷化镓（GaAs）衬底，砷化镓（GaAs）衬底上由下至上依次设有砷化铝（AlAs）剥离层，n型限制层，构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区,?p型限制层，作为永久衬底层的p型窗口层，通过上述层结构的相互连接构成一发光二极管结构。其中，n型限制层的底面上还设有高反射率金属反射层；在金属反射层的底面上设有n型电极，并形成一芯片；经切割后的芯片成为发光二极管（LED）所需的芯片。本发明采用直接外延生长一层磷化镓（GaP）做为发光窗口层和永久衬底层的方式，用以取代现有金属反射器工艺中二次衬底贴附（bonding）的步骤，不仅大大增加了光的提取效率、简化了制作工艺，而且，还提高了发光二极管制作工艺的稳定性和产品的良品率。 |
