高磷组分砷磷化镓光电阴极专利查询专利号|摘要-满商公司网

高磷组分砷磷化镓光电阴极

基本信息

申请号	CN201621414767.X	申请日	-
公开（公告）号	CN206364046U	公开（公告）日	2017-07-28
申请公布号	CN206364046U	申请公布日	2017-07-28
分类号	H01L33/12(2010.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01J1/34(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	王晓晖;刘佩;陈宇;张业民	申请（专利权）人	天津中环新光科技有限公司
代理机构	天津三元专利商标代理有限责任公司	代理人	天津中环新光科技有限公司
地址	300385 天津市西青区津港公路微电子工业区毕升道2号
法律状态	-

摘要

一种高磷组分砷磷化镓光电阴极，设有：砷化镓(GaAs)衬底、砷化镓(GaAs)衬底上设置有砷化镓(GaAs)缓冲层，砷化镓(GaAs)缓冲层上设置有组分渐变缓冲层，组分渐变缓冲层上设置有变In组分的磷化铝镓铟的应力调制层，应力调制层上设置有P型目标砷磷化镓(GaAs_xP_1‑x)光子发射层,目标P型砷磷化镓(GaAs_xP_1‑x)光子发射层上设置有P型砷化镓(GaAs)盖帽层。本实用新型不仅降低了生长目标砷磷化镓(GaAsP)光子发射层时存在的较大应力，解决了高磷组分生长厚度较厚时出现裂纹现象的问题，而且，有效地提高了高磷组分外延层的生长厚度和晶体的质量，有利于后续光电阴极器件的制备过程。