具有抗衰层的发光二极管专利查询专利号|摘要-满商公司网

具有抗衰层的发光二极管

基本信息

申请号	CN201520930868.1	申请日	-
公开（公告）号	CN205231094U	公开（公告）日	2016-05-11
申请公布号	CN205231094U	申请公布日	2016-05-11
分类号	H01L33/02(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;H01L33/30(2010.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	王晓晖;刘佩;张业民;陈宇;张荣勤;宋京	申请（专利权）人	天津中环新光科技有限公司
代理机构	天津三元专利商标代理有限责任公司	代理人	天津中环新光科技有限公司
地址	300385 天津市西青区津港公路微电子工业区毕升道2号
法律状态	-

摘要

一种具有抗衰层的发光二极管，设有：一砷化镓衬底，该砷化镓衬底上设有分布布拉格反射器，分布布拉格反射器上设有n型砷磷化铝铟抗衰层，n型砷磷化铝铟抗衰层上设有n型限制层，n型限制层上设有构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区,多量子阱有源区上设有p型限制层；p型限制层上设有P型窗口层、P型窗口层上设有P型盖帽层，通过上述层结构的相互连接构成一发光二极管结构。本实用新型通过在分布布拉格反射器与n型磷化铝铟限制层之间插入一层经过设计的砷磷化铝铟抗衰层，不仅可以降低载流子受到该界面处界面散射的几率，增加了载流子注入效率，有效地降低了生长于其上的量子阱有源区的负面效应：而且，还可以进一步降低发光二极管的寿命衰减。