带有高反射率金属反射层的红光发光二极管及制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

带有高反射率金属反射层的红光发光二极管及制备方法

基本信息

申请号	CN201210452581.3	申请日	-
公开（公告）号	CN103811626A	公开（公告）日	2014-05-21
申请公布号	CN103811626A	申请公布日	2014-05-21
分类号	H01L33/46(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	王晓晖;陈弘;贾海强;宋京;丁国建;张荣勤;罗惠英	申请（专利权）人	天津中环新光科技有限公司
代理机构	天津三元专利商标代理有限责任公司	代理人	天津中环新光科技有限公司;中国科学院物理研究所
地址	300385 天津市西青区津港公路微电子工业区毕升道2号
法律状态	-

摘要

一种带有高反射率金属反射层的红光发光二极管及制备方法，设有砷化镓（GaAs）衬底，砷化镓（GaAs）衬底上由下至上依次设有砷化铝（AlAs）剥离层，n型限制层，构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区,?p型限制层，p型窗口层以及临时p型盖帽层，其中，该临时p型盖帽层将被腐蚀掉，并在p型窗口层的上面蒸镀高反射率金属反射层，然后，再在高反射率金属反射层之上蒸镀p型电极，并形成一芯片整体；经切割后的芯片整体成为红光发光二极管（LED）所需的芯片结构。本发明在增加反射率的同时，避免了由分布布拉格反射器（DBR）带来的发光二极管工作电压升高的弊端，不仅可以将砷化镓（GaAs）衬底彻底剥离掉，而且，使经过重新处理后的砷化镓（GaAs）衬底可以再次得到利用。