用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机
基本信息
申请号 | CN201320745620.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN203668497U | 公开(公告)日 | 2014-06-25 |
申请公布号 | CN203668497U | 申请公布日 | 2014-06-25 |
分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 毛念新;严仲君;黄翔鄂;王新征 | 申请(专利权)人 | 上海嘉森真空科技有限公司 |
代理机构 | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人 | 金碎平 |
地址 | 201812 上海市嘉定区曹安路3652号6栋 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型公开了一种用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机,包括真空密封的镀膜室,所述镀膜室内设有蒸发源和基片,其中,所述镀膜室的中间区域为镀膜区,左右两侧为控温区,所述蒸发源设置在镀膜区内,所述镀膜区和控温区内设有导轨,所述基片的背面贴有铜背板并通过基片架固定在导轨上。本实用新型提供的用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机,当基片温度由于蒸镀后升高且接近临界安全温度时,基片沿着导轨移动并停留在左端或右端控温区降温,在温度降至安全温度后再返回镀膜区继续镀膜,直至厚度达到要求且温度降至安全温度后出料,从而保证镀膜的均匀性,有效避免散热不均匀或冷却过快导致的基片损坏,提高产品合格率。 |
