MEMS硅桥膜结构继电器的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201210469926.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103000410B | 公开（公告）日 | 2015-04-29 |
| 申请公布号 | CN103000410B | 申请公布日 | 2015-04-29 |
| 分类号 | H01H11/00(2006.01)I;H01H59/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 阮勇;张高飞;常双凯;马波;尤政 | 申请（专利权）人 | 北京同方华创科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 楼艮基 |
| 地址 | 100084 北京市海淀区清华园1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | MEMS桥膜结构静电驱动继电器的制备方法属于MEMS器件的设计制造领域，其特征在于：（1）该继电器工艺采用绝缘体上硅SOI（Silicon?On?Insulator）与玻璃片（或硅片）键合的方式；（2）通过键合形成硅—玻璃或硅—硅整体结构；（3）SOI片的顶层硅厚度决定了桥膜结构中桥膜厚度。本继电器桥膜结构以体硅工艺为主，避免了表面硅工艺牺牲层释放不彻底的问题，从而有效提高桥膜结构质量，在MEMS继电器、开关、传感器等方面有重要应用。 |
